一颗芯片还没有被切割、封装之前，就要先在整片晶圆上接受电性测试。这一步通常被称为CP（Chip Probing，晶圆级芯片探针测试），也常被叫作Wafer Sort（晶圆分选）或Wafer Test（晶圆测试）。“CP测试测什么参数？”不同芯片的重点完全不同，具体有哪些不同？

       1. 存储器芯片对DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）、SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）、Flash（Flash Memory，闪存）来说，CP测试会重点关注读写功能、地址译码、存储单元缺陷、保持时间、擦写能力、干扰失效和冗余修复。常见算法包括March Test（行进测试）以及Read Disturb（读干扰）、Program Disturb（编程干扰）、Erase Disturb（擦除干扰）等。很多存储器还会在CP阶段执行修复，把坏的行列替换为冗余行列。

       2. 模拟与混合信号芯片对ADC（Analog-to-Digital Converter，模数转换器）、DAC（Digital-to-Analog Converter，数模转换器）、运算放大器、电源管理芯片等，CP会关注Offset Error（失调误差）、Gain Error（增益误差）、INL（Integral Non-Linearity，积分非线性）、DNL（Differential Non-Linearity，微分非线性）、SNR（Signal-to-Noise Ratio，信噪比）、SINAD（Signal-to-Noise and Distortion Ratio，信噪失真比）、ENOB（Effective Number of Bits，有效位数）、PSRR（Power Supply Rejection Ratio，电源抑制比）等。

       3. RF芯片对RF（Radio Frequency，射频）芯片，测试重点会转向频域性能，例如S-parameters（Scattering Parameters，散射参数）、Gain（增益）、Noise Figure（噪声系数）、Output Power（输出功率）、P1dB（1 dB Compression Point，1 dB压缩点）、IP3（Third-Order Intercept Point，三阶截点）、ACPR（Adjacent Channel Power Ratio，邻道功率比）、EVM（Error Vector Magnitude，误差向量幅度）等。RF CP测试通常对探针、校准、屏蔽、夹具和测试时间都很敏感。

      4. 功率器件对MOSFET、IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）、SiC（Silicon Carbide，碳化硅）和GaN（Gallium Nitride，氮化镓）器件，CP会关注耐压、导通电阻、漏电、阈值、电容和栅极电荷等。常见项目包括BVDSS（Drain-Source Breakdown Voltage，漏源击穿电压）、IDSS（Drain-Source Leakage Current，漏源漏电流）、IGSS（Gate-Source Leakage Current，栅源漏电流）、VGS(th)（Gate Threshold Voltage，栅极阈值电压）、RDS(on)（Drain-Source On-Resistance，漏源导通电阻）、Qg（Gate Charge，栅极电荷）等。

       CP测试清单由产品类型、工艺平台、良率风险、测试成本、客户要求和可靠性等级共同决定。真正成熟的量产测试，是在足够质量保障和可接受测试成本之间找到最优解。一颗芯片能不能走向封装、能卖成什么等级、能不能进入汽车、通信、工业或消费电子市场，很多时候在CP测试这一刻，就已经写进了晶圆图里。

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