CP测试（晶圆探针测试）在晶圆制造完成后、封装前进行，通过探针接触晶圆上的裸片（Die）进行电气性能和功能验证，CP测试内容根据芯片类型（数字、模拟、混合信号、存储器等）有所不同，但通常包括以下几大类：

     1. DC参数测试（Direct Current Test）：DC测试用于测量芯片在静态条件下的电气特性，是CP测试的基础。包括供电电流测试；I/O引脚参数测试；开路与短路测试（Continuity & Leakage Test）。

     2. 功能测试（Functional Test）：功能测试验证芯片是否能正确执行其设计功能。包括数字逻辑功能测试；存储器测试（Memory Test）；模拟功能测试；接口功能测试。

     3. AC参数测试（Alternating Current Test）：AC测试用于验证芯片在动态工作条件下的时序性能。包括时钟频率测试；建立时间（Setup Time）与保持时间（Hold Time）测试；传播延迟（Propagation Delay）测试；时序裕量测试。

     4. 可靠性与环境测试（部分在CP阶段进行）：虽然大部分可靠性测试在FT（Final Test）阶段进行，但部分CP测试也会包含：温控测试（Temperature Test）：在高温（如125°C）或低温（如-40°C）下进行功能与参数测试，验证芯片工作温度范围；电压扫描测试：改变供电电压，测试芯片在不同Vdd下的稳定性。

     为了高效、准确地完成上述测试内容，CP测试采用多种技术与方法，结合自动测试设备（ATE）和探针台（Prober）实现。主要方法包括：

     1.探针台与测试机协同工作

     探针台：承载晶圆并精准控制探针卡与Die的接触，确保电气连接稳定。

     测试机：生成测试向量并采集响应数据，通过高精度源测量单元（SMU）施加电压/电流激励。

     探针卡：采用钨铜、铍铜等材料制成微小探针（直径3-4mil），通过环氧树脂固定，实现与Die焊盘的高密度连接。

     2.并行测试与信号完整性控制

     多Die并行测试：通过探针卡设计支持同时测试多个Die（如32/16/8/4同测数），提升测试效率。

     信号完整性优化：针对高速信号（如Scan测试、Memory测试），需控制探针接触电阻和寄生电容，避免信号失真（数据传输速率通常≤50Mbps）。

     3.环境适应性测试

     温度循环测试：在高温烘烤（如125℃）后检测芯片性能变化，确保其稳定性。

     大电流冲击测试：通过脉冲法测试功率器件（如SiC MOSFET）的导通电阻，避免自热效应影响结果。

     CP测试将不再仅仅是“通过/失败”的简单判断，而是向高精度参数测试、失效模式预测、数据驱动优化的方向发展。对于芯片设计公司、代工厂（Foundry）和封测厂（OSAT）而言，建立高效、可靠的CP测试体系，是确保产品竞争力和市场成功的关键保障。

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